2013年春季第60回応用物理学会プログラム

	2013年第60回応用物理学術講演会					3/27-30＠神奈川工科大学
No	発表日	講演No	発表時間	会場	セクション	講演タイトル	講演者	区分
1	3月27日	27a-PB4-14	9:30-11:30	PB4(第二体育館）	21.1合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	MgZnO/ZnOヘテロ構造の作製と自発分極によるMg濃度分布の再構成	東大院工1，東大新領域2，JSTさきがけ3，○今坂光太郎1，ジョセフフォルソン1，塚崎敦2,3，小塚裕介1，川崎雅司1	Poster
2	3月27日	27p-F2-11	16:15-16:30	F2（E3号館3F-303）	6.3酸化物エレクトロニクス	VO₂における電界誘起金属相の結晶構造評価	理研CERG/CMRG1，東大新領域2，理研SPring-83，産総研4，電中研5，JASRI6，東大工7，○中野匡規1,2，奥山大輔1，竹下聡史3，大隅寛幸3，Samuel Tardif3，渋谷圭介1,4，畑野敬史1，小野新平1,5，湯本博勝6，小山貴久6，大橋治彦6，高田昌樹3，川崎雅司1,7，田口康二郎1，有馬孝尚2,3，岩佐義宏1,7，十倉好紀1,7	Oral
3	3月28日	28a-F2-1	10:00-10:15			△Fe₃O₄薄膜のVerwey転移に対するバッファー層挿入効果	東大院工1，東大新領域2，JST さきがけ3, ○高橋哲大1，中野匡規2，川崎雅司1，塚崎敦2,3，	Oral
4		28p-F2-4	14:45-15:00			Air-Gapゲート構造を用いた酸化物界面のキャリア濃度変調	東大院工1，東大新領域2，JSTさきがけ3,○反保智貴1，小塚裕介1，Joseph Falson2，塚﨑敦2,3，川﨑雅司1	Oral
5		28p-F2-5	15：00-15:15			MgZnO/ZnO二次元電子系を用いた量子ポイントコンタクトの作製と評価	東大院工1，東大新領域2，JST-さきがけ3 ,○（B）田中一成1，ジョセフフォルソン2，小塚裕介1，叶劍挺1，吉田将郎1，岩佐義宏1，塚﨑敦2,3，川﨑雅司1	Oral
6		28p-A8-8	16:15-16:30	A8（K1号館）6F-602	10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス	MgZnO/ZnO二次元電子系における抵抗検出型ESRによるRashbaスピン軌道相互作用の検出	東大院工1，東大新領域2，JST-CREST3，東大ナノ量子機構4，JSTさきがけ5，○小塚裕介1，ジョセフフォルソン2，寺岡総一郎1，大岩顕1,3，樽茶清悟1,4，塚崎敦2,5，川﨑雅司1	Oral
7	3月29日	29a-F2-6	11:30-11:45	F2（E3号館3F-303）	6.3酸化物エレクトロニクス	△LaドープによるBaTiO₃薄膜の金属絶縁体転移	東北大金研1，理研基幹研CMRG＆CERG2，東大新領域3，東大工院4，○松原雄也1,2，高橋圭2，塚崎敦3，川﨑雅司2,4，十倉好紀2,4	Oral
8	3月29日	29a-F2-7	11:45-12:00	F2（E3号館3F-303）	6.3酸化物エレクトロニクス	△MBEで作製したBaTiO₃薄膜の電気二重層トランジスタ動作特性	東北大金研1，理研CMRG, CERG2，東大院工3，○伊藤正人1,2，松原雄也1,2，高橋圭2，小塚裕介3，Jian Ting Ye3，岩佐義宏2,3，川﨑雅司2,3，十倉好紀2,3	Oral
9	3月30日	30p-A7-5	14：00-14:15	A7（K1号館）3F-306	10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）	白金超薄膜の異常ホール効果	理研CMRG1，理研CERG2，東大工3，○高橋圭1，清水直2，川崎雅司1,2,3，岩佐義宏2,3，十倉好紀1,2,3	Oral