| 2012年秋季第73回応用物理学会プログラム | 9/11-9/14/2012 愛媛大/松山大 | |||||||
| No | 発表日 | 講演No | 発表時間 | 会場 | セクション | 講演タイトル | 講演者 | 区分 |
| 1 | 9月11日 | 11p-C9-1 | 13:30-14:00 |
C9 |
43.1 酸化物超構造による強相関電子制御の最前線(機能性酸化物研究グループ企画) |
酸化物ヘテロ界面における高移動度二次元電子（30分） | 東大院工 ○小塚裕介 | Invite |
| 2 | 11p-C9-6 | 16:15-16:30 |
C9 |
43.1 酸化物超構造による強相関電子制御の最前線(機能性酸化物研究グループ企画) |
有機金属原料を用いたMBEによる超高純度遷移金属酸化物薄膜の合成 | 理研 CMRG1，東大工2，理研 CERG3 ○高橋 圭1，松原雄也2,3，川崎雅司1,2,3，十倉好紀1,2,3 | Oral | |
| 3 | 11p-C9-8 | 17:00-17:20 |
C9 |
43.1 酸化物超構造による強相関電子制御の最前線(機能性酸化物研究グループ企画) |
電気二重層ゲートによる強相関酸化物の電子相制御（20分） | 産総研1，JST-CREST2，華東師範大3，東大院総合4，JSTさきがけ5，東大院工6，理研CERG7 ○浅沼周太郎1,2，向 平華3，山田浩之1，佐藤 弘1，井上 公1,2，赤穗博司1,2，澤 彰仁1,2，上野和紀4,5，川崎雅司6,7，岩佐義宏6,7 | Invite | |
| 4 | 11p-C9-9 | 17:20-17:40 |
C9 |
43.1 酸化物超構造による強相関電子制御の最前線(機能性酸化物研究グループ企画) |
VO2における電界誘起バルク相転移（20分） | 理研-CERG/CMRG1，産総研2，電中研3，東大工4 ○中野匡規1，渋谷圭介1,2，奥山大輔1，畑野敬史1，小野新平1,3，川崎雅司1,4，岩佐義宏1,4，十倉好紀1,4 | Invite | |
| 5 | 11p-C9-10 | 17:40-18:00 |
C9 |
43.1 酸化物超構造による強相関電子制御の最前線(機能性酸化物研究グループ企画) |
電界効果によるマンガン酸化物薄膜における電荷、スピン、軌道秩序スイッチング（20分） | 理研 CERG&CMRG1，富士電機2，電中研3，物材機構4，東大先端研5，東大物工6 ○畑野敬史1，盛 志高1，荻本泰史1,2，小川直毅1，中野匡規1，小野新平1,3，宮野健次郎4,5，川崎雅司1,6，岩佐義宏1,6，十倉好紀1,6 | Invite | |
| 6 | 9月12日 | 12a-C13-1 | 9:00-9:15 |
C13 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分） (Nd,Sm)NiO3電気二重層トランジスタの動作特性 |
産総研1，JST-CREST2，東大院総合3，JSTさきがけ4，東大院工5，理研CERG6 ○浅沼周太郎1,2，向 平華1,2，山田浩之1，佐藤 弘1，井上 公1,2，赤穗博司1,2，澤 彰仁1,2，上野和紀3,4，川崎雅司5,6，岩佐義宏5,6 | Invite |
| 7 | 12a-C13-6 | 10:15-10:30 |
C13 |
6.3酸化物エレクトロニクス | V1-xWxO2 (0≤x≤0.067)薄膜における圧力誘起絶縁体-金属相転移 | 産総研1，理研2，KEK物構研3，東大新領域4，東大工5 ○渋谷圭介1, 2，奥山大輔2，寺倉千恵子2，熊井玲児3，小林賢介3，田口康二郎2，有馬孝尚4，川崎雅司2, 5，十倉好紀2, 5 | Oral | |
| 8 | 12a-C13-10 | 11:30-11:45 |
C13 |
6.3酸化物エレクトロニクス | スピネルフェライト薄膜の作製と伝導性制御の試み | 東大院工 ○高橋哲大，松原雄也，伊藤正人，川崎雅司，塚崎 敦 | Oral | |
| 9 | 9月13日 | 13a-C13-3 | 9:30-9:45 |
C13 |
6.3酸化物エレクトロニクス | (CoZn)O/ZnO構造における分極変調効果と2次元電子系の形成 | 東大院工1，JSTさきがけ2，電中研3，理研ASI4 ○塚崎 敦1，柴田直哉1,2，幾原雄一1，小野新平3，寺倉千恵子4，小塚裕介1，永長直人1,4，十倉好紀1,4，川崎雅司1,4 | Oral |
| 10 | 13p-H7-1 | 13:30-13:45 |
Ｈ7 松山大2号館2Ｆ220 |
21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 |
｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分） MgxZn1-xO/ZnO系高移動度二次元電子に関する研究の進展 |
東大院新領域1，理研ASI-CERG&CMRG2，東大院工3 ○ジョセフ フォルソン1，デニス マリエンコ2，小塚裕介3，塚崎 敦3，川崎雅司2,3 | Invite | |
| 11 | 13p-C13-9 | 15:30-15:45 |
C13 |
6.3酸化物エレクトロニクス | PbTiO3薄膜を用いた電気二重層トランジスタの作製と特性評価 | 東大院工1，理研CMRG2，理研CERG3，東大院総合4 ○村井裕之1，伊藤正人2，松原雄也3，小塚裕介1，塚崎 敦1，上野和紀4，岩佐義宏1,3，川崎雅司1,2,3 | Oral | |