2011年 春季　第58回応用物理学関係連合講演会

日時：3月24日（木）〜3月27日（日）
場所：神奈川工科大学

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No 発表日 講演No 発表時間 会場 セクション 講演タイトル 講演者 区分
1 3月24日 24p-BF-2 13:40-14:20 BF
1F-2105
B5号館		 49.1機能性酸化物研究グループ企画「酸化物ヘテロ構造を用いた強相関電子制御の最前線」  ZnO系酸化物界面における移動度向上と量子ホール効果（40分） 東大院工1，JSTさきがけ2 ○塚崎　敦1,2 Invited
2 24p-BF-3 14:20-15:00 BF
1F-2105
B5号館		 49.1機能性酸化物研究グループ企画「酸化物ヘテロ構造を用いた強相関電子制御の最前線」  SrTiO3ヘテロ構造における高移動度二次元超伝導相の創成（40分） 東北大金研1，東大新領域2，プサン大3，スタンフォード大4 ○小塚裕介1，金　民祐2，Christopher Bell2，金　福基3，疋田育之2，Harold Hwang2,4 Invited
3 24p-BF-6 16:30-17:10 BF
1F-2105
B5号館		 49.1機能性酸化物研究グループ企画「酸化物ヘテロ構造を用いた強相関電子制御の最前線」  酸化物絶縁体表面での電場誘起超伝導(40分） 東北大WPI　○上野和紀  Invited
4 3月25日 25p-BZ-18 18:15-18:30 BZ
4F-2406
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  LSAT(100)基板上のSr2RuO4薄膜の成長様式変化 理研1，スタンフォード大2，東北大WPI材料機構3，東大工4，ERATO-MF5　○堀田育志1，高橋　圭1，ハロルド ファン1, 2，川崎雅司1, 3, 4，十倉好紀1, 4, 5  Oral
5 3月26日 26a-KL-16 10:30-10:45 KL
12F-メディアホール
K1号館		 21.1合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」  MgxZn1-xO/ZnO 界面での高移動度極低キャリア濃度二次元電子ガスの形成と特性評価 東北大金研1，東北大WPI材料機構2，東京院工3，JST-PRESTO4，ローム5，JST-CREST6　○ジョセフ フォルソン1，デニス マリエンコ2，小塚裕介1，塚崎　敦3,4，赤坂俊輔5，仲原　健5，川崎雅司1,2,3,6  Oral
6 26p-BF-12 15:45-16:00 BF
1F-2105
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  パルスレーザー堆積法によるペロブスカイト型EuMoO3薄膜の作製 東北大金研1，理研CERG2，東北大WPI材料機構3，東大院工4，JST-CREST5　○（M1C）関　秀悦1，スバンカー チャクラバティー2，小塚裕介1，上野和紀3，川崎雅司1,3,4,5  Oral
7 26p-BF-13 16:15-16:30 BF
1F-2105
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  Ti1-xCoxO2-dの化学ドーピングによる強磁性制御:電界効果との比較 東北大金研1，東北大WPI材料機構2，東大理3，科技機構さきがけ4，東大工5，科技機構戦略6　○山田良則1，上野和紀2，福村知昭3,4，袁　洪涛5,6，下谷秀和5,6，岩佐義宏5,6，川崎雅司1,2,5,6  Oral
8 26p-KB-13 16:30-16:45 KB
B1F-B102
K1号館		 5.3光制御  チャネル型ZnO導波路における非線形光学係数γの構造依存性 東北大院工1，コーネル大2，東大院工3，東北大金研4，JSTさきがけ5，東北大WPI材料機構6，JST-CREST7　○平　裕太1，エドガル芳男 モラレス寺岡1，ブロードス ダニエル2，北　智洋1，塚崎　敦3,5，川崎雅司4,6,7，ガエッタ アレキサンダー2，山田博仁1  Oral
9 26p-BF-14 16:30-16:45 BF
1F-2105
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  TiO2/VO2超格子薄膜の金属-絶縁体転移 理研CMRG&CERG1，東北大WPI材料機構2，東大工3，ERATO-MF4　○渋谷圭介1，川崎雅司1,2,3，十倉好紀1,3,4  Oral
10 26p-BF-15 16:45-17:00 BF
1F-2105
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  軟X線光電子分光によるV1-xWxO2薄膜の電子状態解析 東大院工1，JST-CREST2，理研 CMRG&CERG3，JST-さきがけ4，東大放射光機構5，東北大WPI機構6，ERATO-MF7　○（PC）坂井延寿1,2，吉松公平1，渋谷圭介3，組頭広志1,4,5，川崎雅司2,3,6，十倉好紀1,3,7，尾嶋正治1,2,5  Oral
11 26p-BF-16 17:00-17:15 BF
1F-2105
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  トライフェーズエピタキシー法によるデラフォサイト型CuScO2単結晶薄膜の作製と評価 東北大金研1，東北大WPI材料機構2，東大院工3，科技機構戦略4　○松原雄也1，平賀広貴2，上野和紀2，牧野哲征2，川崎雅司1,2,3,4  Oral
12 26p-BF-17 17:15-17:30 BF
1F-2105
B5号館		 6.3酸化物エレクトロニクス  CuMO2(M = Sc, Cr, Mn, Fe, Co)薄膜のエピタキシャル成長と電子構造 東北大WPI1，東大院理2，科技機構さきがけ3，中国科学院物理4，東大院工5，科技機構戦略6　○平賀広貴1，牧野哲征1，福村知昭2,3，Weng Hongming4，川崎雅司1,5,6  Oral