2010年
秋季 第71回応用物理学会学術講演会
日時：9月14日（火）〜9月17日（金）
場所：長崎大学文教キャンパス
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| No | 発表日 | 講演No | 発表時間 | 会場 | セクション | 講演タイトル | 講演者 | 区分 |
| 1 | 9月14日 | 14p-NE-6 | 14:15-14:30 |
NE 3F-31番講義室 教育学部 |
6.3酸化物エレクトロニクス | 斜方晶RMnO3単結晶薄膜におけるマルチフェロイック特性 | 理研 CMRG&CERG1，ERATO-MF2，東大工3，東北大WPI材料機構4 ○中村優男1，徳永祐介2，Jong Seok Lee3，川崎雅司1,4，十倉好紀1,2,3 | Oral |
| 2 | 14p-G-12 | 16:15-17:00 |
G 4F-403番教室 全学教育本館 |
5.3光制御 | ZnOチャネル型光導波路における自己位相変調効果の観測 | 東北大院工1，コーネル大2，東大院工3，JSTさきがけ4，東北大金研5，東北大WPI材料機構6，JST-CREST7 ○エドガル芳男 モラレス寺岡1，ダニエル ブロードス2，北 智洋1，塚崎 敦3,4，川崎雅司5,6,7，ガエッタ アレキサンダー2，山田博仁1 | Oral | |
| 3 | 14p-NE-18 | 17:30-17:45 |
NE 3F-31番講義室 教育学部 |
6.3酸化物エレクトロニクス | SrIr1-xRuxO3薄膜の合成と物性 | 理研 CMRG&CERG1，東北大WPI材料機構2，ERATO-MF3，東大工4 ○高橋 圭1，川崎雅司1,2，十倉好紀1,3,4 | Oral | |
| 4 | 9月15日 | 15p-NE-4 | 13:45-14:00 |
NE 3F-31番講義室 教育学部 |
6.3酸化物エレクトロニクス | EuOエピタキシャル薄膜の異常ホール効果 | 東北大金研1，東大理2，科技機構さきがけ3，東北大WPI材料機構4，東大工5，科技機構戦略6 ○山崎高志1，福村知昭2,3，上野和紀4，塚崎 敦3,5，川崎雅司1,4,6 | Oral |
| 5 | 15p-NE-5 | 14:00-14:15 |
NE 3F-31番講義室 教育学部 |
6.3酸化物エレクトロニクス | 電子ドープVO2薄膜におけるX線誘起絶縁体-金属相転移 | 理研 CMRG＆CERG1，産総研2，KEK物構研3，東北大多元研4，東北大WPI材料機構5，東大工6，ERATO-MF7 ○渋谷圭介1，奥山大輔1，熊井玲児2，山崎裕一3，中尾裕則3，村上洋一3，田口康二郎1，有馬孝尚4，川崎雅司1,5，十倉好紀1,6,7 | Oral | |
| 6 | 15p-NE-8 | 15:00-15:15 |
NE 3F-31番講義室 教育学部 |
6.3酸化物エレクトロニクス | 電気二重層FET によるNdNiO3 の金属‐絶縁体転移の電界制御 | 産総研1，CREST2，東北大WPI材料機構3，東大QPEC4，理研CERG5 ○浅沼周太郎1,2，向 平華1,2，山田浩之1，佐藤 弘1，井上 公1,2，赤穗博司1,2，澤 彰仁1,2，上野和紀3，川崎雅司3,5，岩佐義宏3,4 | Oral | |
| 7 | 15p-NE-18 | 17:30-17:45 |
NE 3F-31番講義室 教育学部 |
6.3酸化物エレクトロニクス | 極低温動作SrTiO3電界効果トランジスタの移動度向上 | 東北大金研1，東北大WPI材料機構2，東大院工3，CREST-JST4 ○菅沼憲正1，上野和紀2，塚崎 敦3，川崎雅司1,2,4 | Oral | |
| 8 | 9月17日 | 17p-ZJ-1 | 13:00-13:15 |
ZJ 3F-大講義室 総合教育研究棟 |
21.1合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | オゾンを用いた分子線エピタキシー法による高移動度ZnO/MgZnOヘテロ界面の作製 | 東北大金研1，ローム2，東大院工3，JST-PRESTO4，JST-CREST5，東北大WPI材料機構6 ○小塚裕介1，ジョセフ フォルソン1，赤坂俊輔2，中原 健2，塚崎 敦3,4，川崎雅司1,5,6 | Oral |