第57回応物プログラム

2010年春季　第57回応用物理学関係連合講演会

日時：3月17日（水）～3月20日（土）
場所：東海大学湘南キャンパス

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No	発表日	講演No	発表時間	会場	セクション	講演タイトル	講演者	区分
1	3月18日	18a-TL-6	10:30-10:45	14号館2階-TL	21.1合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」	In₂O₃単結晶薄膜の電子濃度制御	東北大金研¹，東工大院工²，東北大WPI材料機構³，JST-CREST⁴　^○小田聖翔¹，奥出正樹¹，大友　明^1,2，川崎雅司^1,3,4	Oral
2		18a-TQ-4	10:45-11:00	14号館3階-TQ	6.3酸化物エレクトロニクス	原子層堆積法による絶縁膜を用いたSrTiO₃電界効果トランジスタ	東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，CREST-JST³　^○菅沼憲正¹，上野和紀²，塚崎　敦¹，川崎雅司^1,2,3	Oral
3		18a-TQ-8	12:00-12:15	14号館3階-TQ	6.3酸化物エレクトロニクス	室温強磁性半導体Ti_1-xCo_xO_2-δの電界誘起強磁性	東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，科技機構さきがけ³，科技機構戦略⁴，東大工⁵　^○山田良則¹，上野和紀²，福村知昭^1,3，袁　洪涛^1,4，下谷秀和^1,4，岩佐義宏^5,4，川崎雅司^1,2,4	Oral
4		18p-TQ-9	16:15-16:30	14号館3階-TQ	6.3酸化物エレクトロニクス	V_1-xW_xO₂ (0 ≦ x ≦ 0.33) エピタキシャル薄膜の金属-絶縁体転移	理研CMRG¹，東北大WPI²，東大工³，ERATO-MF⁴　^○（P）渋谷圭介¹，川崎雅司^1,2，十倉好紀^1,3,4	Oral