2009年
秋季 第
56回応用物理学会学術講演会
日時:9月8日(火)〜9月11日(金)
場所:富山大学
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No | 発表日 | 講演No | 発表時間 | 会場 | セクション | 講演タイトル | 講演者 | 区分 |
1 | 9月9日 | 9a-H-1 | 09:15-09:30 | H | 6.3 酸化物エレクトロニクス | 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)KTaO3をチャネルとした電気二重層トランジスタ | 東北大WPI材料機構1,東北大金研2,東北大極低セ3,CREST-JST4 ○上野和紀1,赤塚俊彦2,中村慎太郎3,下谷秀和2,袁 洪涛2,4,野島 勉3,木村憲彰3,青木晴善3,岩佐義宏2,4,川崎雅司1,2,4 | Invited |
2 | 9a-J-6 | 10:30-10:45 | J | 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | 2DEG移動度100,000 cm2V-1s-1を越えるMgZnO/ZnO界面の実現 | 東北大金研1,JSTさきがけ2,ローム株式会社3,東北大通研ナノ・スピン実験施設4,JST-CREST5,東北大WPI材料機構6 ○塚崎 敦1,2,赤坂俊輔3,中原 健3,神澤 公3,大野裕三4,大野英男4,大友 明1,川崎雅司1,5,6 | Oral | |
3 | 9p-H-4 | 13:45-14:00 | デラフォサイト型CuTMO2薄膜のエピタキシャル成長と光学的性質 | 東北大WPI材料機構1,東北大金研2,科技機構さきがけ3,科技機構戦略4 ○(PC)平賀広貴1,福村知昭2,3,大友 明2,牧野哲征1,大久保昭2,木村久道2,川崎雅司1,2,4 | Oral | |||
4 | 9p-H-11 | 15:45-16:00 | H | 6.3 酸化物エレクトロニクス | PLD法で作製したEuO薄膜の電気・磁気的性質 | 東北大金研1,科技機構さきがけ2,東北大WPI材料機構3,科技機構戦略4 ○山崎高志1,福村知昭1,2,上野和紀1,3,塚崎 敦1,2,川崎雅司1,3,4 | Oral | |
5 | 9p-H-19 | 17:45-18:00 | 光電流スペクトルによるモット絶縁体/Nb:SrTiO3接合界面の評価 | 理研CMRG1,産総研エレ2,東北大WPI材料機構3,東大工4 ○中村優男1,澤 彰仁2,川崎雅司1,3,十倉好紀1,4 | Oral | |||
6 | 9p-H-21 | 18:15-18:30 | エピタキシャル歪みによるNd1-xSr1+xMnO4薄膜の電荷軌道秩序の制御 | 理研 CMRG1,ERATO-MF2,東北大WPI材料機構3,東大工4 ○(P)高橋 圭1,藤岡 淳2,川崎雅司1,3,十倉好紀1,2,4 | Oral | |||
7 | 10a-H-6 | 11:25-11:55 | H |
『機能性酸化物研究グループ・合同セッション:ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス・応用電子物性分科会』企画「社会の持続的発展を目指す酸化物研究開発の現状と未来」 |
酸化亜鉛デバイスの展開 | ローム融合デバイス研 ○中原 健 | Invited | |
8 | 9月10日 | 10a-H-9 | 12:55-13:00 | クロージングリマーク:「社会の持続的発展を目指す酸化物研究開発の現状と未来」 | 東北大金研 ○大友 明 | Invited | ||
9 | 10p-G-3 | 14:30-15:00 | G | 59.1薄膜・表面物理分科会企画「金属酸化物系材料の新展開-メカニズムの解明からデバイス応用まで-」 | 界面制御による酸化物量子物性の発現(30分) | 東北大WPI材料機構1,東北大金研2,CREST-JST3 ○川崎雅司1, 2, 3 | Invited | |
10 | 10p-J-14 | 16:45-17:00 | J | 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | バッファー層を用いたYSZ基板上In2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,JST-CREST3 ○小田聖翔1,奥出正樹1,大友 明1,川崎雅司1,2,3 | Oral | |
11 | 10p-H-17 | 17:45-18:00 | H | 6.3 酸化物エレクトロニクス | 酸化物基板上への高極性カルボン酸系SAMの形成 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,科技機構戦略3 ○郡司遼佑1,平賀広貴2,大友 明1,牧野哲征2,福村知昭1,川崎雅司1,2,3 | Oral | |
12 | 9月11日 | 11a-ZE-11 | 11:45-12:00 | ZE | 10.1 新物質創生・物性探索 | アナターゼ型Ti1-xCoxO2-δの室温強磁性の電界制御 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,科技機構さきがけ3,科技機構戦略4 ○山田良則1,上野和紀2,福村知昭1,3,下谷秀和1,4,岩佐義宏1,4,川崎雅司1,2,4 | Oral |
13 | 11a-P8-12 | 9:30-11:30 | P8 | 5.3 光制御 | チャネル型ZnO光導波路の作製と評価 | 東北大院工1,東北大金研2,JSTさきがけ3,東北大WPI材料機構4,JST-CREST5 ○芳男 モラレス1,北 智洋1,塚崎 敦2,3,川崎雅司2,4,5,大寺康夫1,山田博仁1 | Poster |