2009年春季 第 56回応用物理学関係連合講演会

日時:3月30日(月)〜4月2日(木)
場所:筑波大学筑波キャンパス

詳細はこちら

No 発表日 講演No 発表時間 会場 セクション 講演タイトル 講演者 区分
1 3月30日 30a-P2-16 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  デラフォサイト型遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜の作製と物性評価 東北大WPI材料機構1,JFEミネラル2,東北大金研3,科技機構さきがけ4,科技機構戦略5 平賀広貴1,岩崎洋介2,福村知昭3,4,大友 明3,牧野哲征1,大久保昭3,木村久道3,川崎雅司1,3,5  Poster
2 30a-P2-20 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  ダブルゲート構造を用いたSrTiO3の超伝導制御 東北大WPI材料機構1,東北大極低セ2,東北大金研3,CREST-JST4 上野和紀1,中村慎太郎2,下谷秀和3,大友 明3,野島 勉2,木村憲彰2,青木晴善2,岩佐義宏3,4,川崎雅司1,3,4  Poster
3 30a-P2-29 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  酸化物基板上へのステアリン酸SAMの形成 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,JST-CREST3 郡司遼佑1,平賀広貴2,中野匡規1,大友 明1,牧野哲征2,福村知昭1,川崎雅司1,2,3  Poster
4 30a-Q-2 09:35-09:40 Q 3A棟4F 10.1新物質創生・物性探索   アナターゼ型Ti1-xCoxO2-δの異常ホール効果の電界制御 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,科技機構さきがけ3,科技機構戦略4 山田良則1,上野和紀2,福村知昭1,3,中野匡規1,下谷秀和1,4,岩佐義宏1,4,川崎雅司1,2,4  Oral
5 30p-ZK-1 13:00-13:25 ZK 2H棟2F 36.1ワイドギャップ酸化物半導体の進展と今後の展望  イントロダクトリー:ワイドギャップ酸化物半導体の研究動向と魅力(25分) 東北大WPI材料機構1,東北大金研2,CREST-JST3 川崎雅司1,2,3  Invited
6 30p-TB-6 15:20-15:50 TB 1H棟2F 38.1薄膜トランジスタ最前線 シリコン・酸化物半導体・有機半導体の徹底比較  酸化物トランジスタの量子効果(30分) 東北大WPI材料機構1,東北大金研2,CREST-JST3 川崎雅司1,2,3  Invited
7 30p-G-7 15:50-16:20 G 3A棟3F 33.1エネルギー・環境研究会企画「光合成に学ぶエネルギーデバイスの展望」  強相関電子・光結合系の物理と環境・エネルギーデバイスの可能性(30分) 理研基幹研交差相関G1,東北大WPI材料機構2,CREST-JST3 川崎雅司1,2, 3  Invited
8 3月31日 31a-P7-7 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  LaドープしたRuddlesden-Popper相薄膜の微細原子構造解析 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,東大総研3,トヨタ自動車4,JST-CREST5 奥出正樹1,斎藤光浩2,着本 亨2,王 中長2,溝口照康3,幾原雄一2,3,大友 明1,木太拓志4,川崎雅司1,2,5  Poster
9 31a-P7-17 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  マンガン酸化物超格子における人工金属絶縁体相分離構造 理研CMRG1,科技機構ERATO2,東北大WPI材料機構3,東大工4 中村優男1,奥山大輔1,S.jong Lee2,川崎雅司1,3,十倉好紀1,2,4  Poster
10 31a-P7-23 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  KTaO3をチャネルとした電気二重層トランジスタ 東北大WPI材料機構1,東北大金研2,CREST-JST3 上野和紀1,赤塚俊彦2,下谷秀和2,袁 洪涛2,3,岩佐義宏2,3,川崎雅司1,2,3  Poster
11 31a-P7-28 09:30-11:30 P2 3A棟4F 6.3酸化物エレクトロニクス  スピネルフェライト(Zn,Co)Fe2O4コンポジションスプレッド薄膜の磁気光学特性 JFEミネラル1,東北大金研2,JST-さきがけ3,東大院理4,KAST5,東北大WPI材料機構6,JST-CREST7 岩崎洋介1,福村知昭2,3,木村久道2,大久保昭2,長谷川哲也4,5,廣瀬 靖4,5,牧野哲征6,上野和紀6,川崎雅司2,6,7  Poster
12 31p-ZK-13 16:15-16:30 ZK 2H棟2F 21.1合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」  In2O3単結晶薄膜の作製とバンドギャップ制御 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,JST-CREST3 小田聖翔1,奥出正樹1,大友 明1,川崎雅司1,2,3  Oral
13 4月1日 1p-Q-1 15:30-15:45 Q 3A棟4F 10.4光・量子スピントロニクス スパッタ製膜Ti1-xCoxO2-δ薄膜の磁気光学性能指数の評価 農工大工1,東北大金研2,東北大WPI3,JST-さきがけ4,JST-CREST5 後藤俊良1,清水大雅1,山崎高志2,福村知昭2,4,川崎雅司3,2,5  Oral