応物

２００7年秋季　第６９回応用物理学関係連合講演会

日時：9月2日（月）～9月5日（木）
場所：中部大学春日井キャンパス

詳細はこちら

No	発表日	講演No	発表時間	会場	セクション	講演タイトル	講演者
1	9月2日	2a-J-2	9:15-9:30	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	電場変調分光法で見たSr₂MnO₄への電界効果キャリアドーピング	理研CMRG¹，東北大WPI材料機構²，東大工³　^○中村優男¹，川崎雅司^1,2，十倉好紀^1,3
2		2a-J-10	11:30-11:45	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	フェロトロイディックMnTiO₃薄膜の作製	科技振ERATO¹，理研CMRG²，東北大WPI材料機構³，東大物工⁴　^○(PC)豊崎秀海¹，川崎雅司^2,3，十倉好紀^1,2,4
3		2p-J-11	15:45-16:00	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	電子ドープRuddlesden-Popper相薄膜の合成と電気特性	東北大金研¹，トヨタ自動車²，東北大WPI材料機構³，JST-CREST⁴　^○奥出正樹¹，大友　明¹，木太拓志²，川崎雅司^1,3,4
4	9月3日	3p-N-7	14:45-15:00	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	MgZnO/ZnO 量子井戸の光学特性と障壁層へのGaドーピングの影響	東北大WPI材料機構¹，兵県大²，理研CMRG³，東北大金研⁴，東大物性研⁵　^○牧野哲征¹，古田洋平²，瀬川勇三郎³，塚崎　敦⁴，大友　明⁴，平山康博⁵，嶽山昭二郎⁵，高木芳弘²，川崎雅司^1,3,4
5		3p-N-8	15:00-15:15	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	ZnO 単一量子井戸における内部電界の光励起による遮蔽	東北大WPI材料機構¹，理研CMRG²，東北大金研³　^○牧野哲征¹，瀬川勇三郎²，塚崎　敦³，大友　明³，川崎雅司¹²³
6		3p-N-9	15:15-15:30	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	Zn極性MgZnO/ZnOヘテロ接合の分子線エピタキシーとキャラクタリゼーション	ローム¹，東北大金研²，東北大多元研³，東北大WPI材料機構⁴，JST-CREST⁵　^○赤坂俊輔¹，塚崎　敦²，湯地洋行¹，田村謙太郎¹，西本宜央¹，高水大樹¹，佐々木敦¹，藤井哲雄¹，中原　健¹，田辺哲弘¹，神澤　公¹，大友　明²，尾沼猛儀³，秩父重英³，川崎雅司^2,4,5
7		3p-N-10	15:30-15:45	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	MBE成長MgZnO/ZnO界面における2DEGの電子有効質量と有効g因子の積(gm)の見積もり	東北大金研¹，ローム²，Princuton Univ.³，JST-CREST⁴，東北大WPI材料機構⁵　^○塚崎　敦¹，大友　明¹，赤坂俊輔²，湯地洋行²，田村謙太郎²，中原　健²，田辺哲弘²，神澤　公²，Shavani Javad³，Gokmen Tayfun³，Mansour Shayegan³，川崎雅司^1,4,5
8		3p-N-11	15:45-16:00	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	PEDOT:PSSショットキー電極によるMg_xZn_1-_xO / ZnOヘテロ界面の二次元伝導制御	東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，ローム³，JST-CREST⁴　^○(D)中野匡規¹，塚崎　敦¹，上野和紀²，郡司遼佑¹，大友　明¹，福村知昭¹，赤坂俊輔³，中原　健³，川崎雅司^1,2,4
9	9月4日	4a-N-1	9:00-9:15	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）PEDOT:PSS / ZnO ショットキー接合を利用した高性能紫外線検出器	東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，ローム³，JST-CREST⁴　^○中野匡規¹，牧野哲征²，郡司遼佑¹，上野和紀²，大友　明¹，福村知昭¹，湯地洋行³，赤坂俊輔³，中原　健³，川崎雅司^1,2,4
10		4a-N-3	9:30-9:45	N（9号館4F）	21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」	導電性高分子を金属電極に用いたO 極性Mg_xZn_1-_xO ショットキー接合の作製と評価	東北大金研¹，JST-CREST²，東北大WPI 材料機構³　^○小野寺拓人¹，郡司遼佑¹，塚崎　敦¹，中野匡規¹，牧野哲征³，大友　明¹，福村知昭¹，川崎雅司^1,2,3
11		4a-J-6	10:30-10:45	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	透明導電性TaドープSnO₂単結晶薄膜の作製と輸送特性評価	科技振ERATO¹，理研CMRG²，東北大WPI材料機構³，東大物工⁴　^○(PC)豊崎秀海¹，川崎雅司^2,3，十倉好紀^1,2,4
12	9月5日	5a-J-1	9:00-9:15	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	アナターゼ型Ti_1-xCo_xO_2-d薄膜における電気伝導の光照射効果	東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，科学技術振興機構 CREST³　^○山田良則¹，福村知昭¹，上野和紀²，中野匡規¹，山崎高志¹，牧野哲征²，川崎雅司^1,2,3
13	9月5日	5a-J-4	9:45-10:00	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	Eu_1-xLa_xTiO₃(x=0-0.1)薄膜の異常ホール効果のキャリア密度依存性	理研CMRG¹，東北大WPI材料機構²，ERATO-MF³，東大工⁴　^○(P)高橋　圭¹，川崎雅司^1,2，十倉好紀^1,3,4
14	9月5日	5a-J-10	11:30-11:45	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	導電性高分子/極性分子膜/酸化物のショットキー特性	東北大金研¹，JST-CREST²，東北大WPI材料機構³　^○郡司遼佑¹，中野匡規¹，塚崎　敦¹，大友　明¹，福村知昭¹，川崎雅司^1,2,3
15	9月5日	5p-J-6	14:15-14:30	J（9号館3F）	6.3酸化物エレクトロニクス	Low-temperature carrier accumulation of high-density electrons in ionic-liquid gated electric-double-layer transistors on ZnO	東北大金研¹，JST-CREST²，東北大WPI-AIMR³　^○袁　洪涛^{1, 2}，下谷秀和^{1, 2}，塚崎　敦¹，大友　明¹，川崎雅司^{1, 2, 3}，岩佐義宏^{1, 2}