2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会
日時:3月27日(木)〜3月30日(日)
場所:日本大学理工学部船橋キャンパス
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No | 発表日 | 講演No | 発表時間 | 会場 | セクション | 講演タイトル | 講演者 | 区分 |
1 | 3月27日 | 27a-ZJ-3 | 10:00-10:15 |
ZJ 10号館4階 |
21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 | 分子線エピタキシー法で成長したZn極性ZnO基板上ZnO膜の時間分解フォトルミネッセンス | ローム1,東北大金研2,東北大多元研3,WPI-AIMR4,CREST-JST5 ○高水大樹1,田村謙太郎1,西本宜央1,佐々木 敦1,赤坂俊輔1,湯地洋行1,中原 健1,尾沼猛儀3,川崎雅司2,4,5,秩父重英3 | Oral |
2 | 3月28日 | 28a-ZJ-8 | 11:30-11:45 |
ZJ 10号館4階 |
21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 | 分子線エピタキシー法(MBE)によるZn極性面ZnO 基板上MgZnO/ZnOヘテロ構造 | ローム1,東北大金研2,東北大多元研3,東北大WPI材料機構4,JST-CREAT5 ○中原 健1,湯地洋行1,赤坂俊輔1,田村謙太郎1,西本宜央1,高水大樹1,佐々木 敦1,藤井哲雄1,田辺哲弘1,高須秀視1,塚崎 敦2,大友 明2,天池弘明3,尾沼猛儀3,秩父重英3,川崎雅司2,4,5 | Oral |
3 | 28a-ZJ-10 | 12:00-12:15 |
ZJ 10号館4階 |
21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 | PEDOT:PSS / ZnOショットキー接合界面の評価及びヘテロ構造への適用 | 東北大金研1,ローム2,東北大WPI材料機構3,JST-CREST4 ○(D)中野匡規1,塚崎 敦1,郡司遼佑1,上野和紀1,大友 明1,福村知昭1,湯地洋行2,中原 健2,川崎雅司1,3,4 | Oral | |
4 | 28a-ZJ-11 | 12:15-12:30 |
ZJ 10号館4階 |
21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 | PEDOT:PSS / ZnOショットキー接合のフォトダイオード特性 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,ローム3,JST-CREST4 ○(D)中野匡規1,牧野哲征2,郡司遼佑1,上野和紀1,大友 明1,福村知昭1,湯地洋行3,中原 健3,川崎雅司1,2,4 | Oral | |
5 | 28p-ZJ-1 | 13:30-13:45 |
ZJ 10号館4階 |
21.1合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 | 「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)PEDOT:PSS/APTEOS/-c面ZnOショットキー接合 | 東北大金研1,JST-CREST2,東北大WPI材料機構3 ○郡司遼佑1,中野匡規1,塚崎 敦1,大友 明1,福村知昭1,川崎雅司1,2,3 | Oral | |
6 | 28p-K-4 | 13:45-14:00 |
K 14号館3階 |
6.2カーボン系薄膜 | ボロンドープダイヤモンド薄膜のボルテックス観察 | 科技構戦略1,東大新領域2,東北大金研3,早大理工4,物材機構5 ○岡崎壮平1,2,立木 昌2,福村知昭3,川崎雅司3,野島 勉3,入山慎吾4,岡田竜介4,川原田 洋4,鯉沼秀臣1,2,5 | Oral | |
7 | 28p-F-21 | 18:15-18:30 |
F 14号館2階 |
10.1新物質創生・物性探索 | アナターゼTi1-xCoxO2-δ薄膜における強磁性-常磁性相境界の磁性 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,科学技術振興機構 CREST3 ○山田良則1,福村知昭1,上野和紀1,中野匡規1,山崎高志1,川崎雅司1,2,3 | Oral | |
8 | 28p-F-22 | 18:30-18:45 |
F 14号館2階 |
10.1新物質創生・物性探索 | アナターゼ構造 Ti1-xCoxO2-δの高温異常ホール効果 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,CREST-JST3 ○上野和紀1,福村知昭1,山田良則1,中野匡規1,山崎高志1,川崎雅司1,2,3 | Oral | |
9 | 28p-F-23 | 18:45-19:00 |
F 14号館2階 |
10.1新物質創生・物性探索 | スパッタ法で作製したTi1-xCoxO2-δ薄膜の磁気光学効果 | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,科学技術振興機構3 ○山崎高志1,福村知昭1,中野匡規1,上野和紀1,山田良則1,川崎雅司1,2,3 | Oral | |
10 | 3月29日 | 29a-L-3 | 9:30-10:00 |
L 14号館4階 |
6.3酸化物エレクトロニクス | Ionic liquid gating electric-double-layer field effect transistor on ZnO | IMR, Tohoku Univ.1,JST-CREST2,WPI-AIMR, Tohoku Univ.3 ○袁 洪涛1,下谷秀和1,2,塚崎 敦1,大友 明1,川崎雅司1,2,3,岩佐義宏1,2 | Oral |
11 | 29a-L-11 | 11:45-12:00 |
L 14号館4階 |
6.3酸化物エレクトロニクス | (SrTiO3)1-x(La0.6Sr0.4MnO3)x混晶薄膜の電子状態解析 | 東大院工1,東大院総合文化2,JST-CREST3,東大物性研4,東北大金研5 ○高石理一郎1,簑原誠人2,堀場弘司1,3,組頭広志1,3,藤田 誠1,尾嶋正治1,2,3,Mikk Lippmaa4,川崎雅司3,5 | Oral | |
12 | 29p-L-4 | 13:45-14:00 |
L 14号館4階 |
6.3酸化物エレクトロニクス | PLD法によるSrO-(SrTiO3)n Ruddlesden-Popper相の合成 | 東北大金研1,トヨタ自動車2,東北大WPI材料機構3,JST-CREST4 ○奥出正樹1,大友 明1,木太拓志2,川崎雅司1,3,4 | Oral | |
13 | 29p-L-7 | 14:30-14:45 |
L 14号館4階 |
6.3酸化物エレクトロニクス | 強磁性半導体Ti1-xCoxO2-δをチャネルとした電気二重層トランジスタ | 東北大金研1,東北大WPI材料機構2,CREST-JST3 ○上野和紀1,福村知昭1,山田良則1,中野匡規1,山崎高志1,下谷秀和1,岩佐義宏1,3,川崎雅司1,2,3 | Oral |