2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会

日時:3月27日(火)〜3月30日(金)
場所:青山学院大学相模原キャンパス

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No 発表日 講演No 発表時間 会場 セクション 講演タイトル 講演者 区分 講演種
1 3月27日 27a-ZA-2 9:45-10:00 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  走査型マイクロ波顕微鏡を用いた低温での薄膜導電率の定量評価 岡崎壮平,岡崎紀明,菅谷英生,西村潤,福村知昭,川崎雅司,一杉太郎,島田敏宏,長谷川哲也  一般 Oral
2 27a-ZT-6 10:15-10:30 ZT E棟3階 17.1合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」  CoドープTiO2の異常ホール伝導率のスケーリング 福村知昭,豊崎秀海,上野和紀,中野匡規,山崎高志,川崎雅司 一般 Oral
3 27a-ZA-9 11:45-12:00 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  放射光光電子分光による(SrTiO3)1-x(La0.6Sr0.4MnO3)x混晶薄膜の電子状態解析 高石理一郎,簑原誠人,堀場弘司,組頭広志,藤田誠,尾嶋正治,Mikk Lippmaa,川崎雅司  一般 Oral
4 3月28日 28a-ZA-5 10:30-10:45 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  TiO2酸化物イオン最密充填面上に作製したSnO2薄膜の構造評価 奥出正樹,上野和紀,大友明,川崎雅司 一般 Oral
5 28a-ZA-6 11:00-11:15 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  スパッタ法を用いたエピタキシャルTiO2薄膜のハイスループット作製 山崎高志,福村知昭,豊崎秀海,中野匡規,上野和紀,川崎雅司  一般 Oral
6 28a-L-11 11:30-11:45 L F棟3階 9.2新材料,新薄膜,新低温動作デバイス PLD法を用いた高品質ZrN超伝導薄膜の低温成長 朱亜彬,池田将洋,塚崎敦,福村知昭,川崎雅司  一般 Oral
7 3月29日 29a-ZA-3 10:00-10:15 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  ZnO/MgZnO積層膜の光誘起絶縁体-金属相転移 塚崎敦,中野匡規,大友明,川崎雅司 一般 Oral
8 29a-ZC-1 10:00-10:15 ZC E棟2階 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望  酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望(15分) 川崎雅司  招待 Oral
9 29a-ZC-3 10:45-11:15 ZC E棟2階 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望  酸化亜鉛の非輻射過程と点欠陥の関係(30分) 秩父重英,尾沼猛儀,塚崎敦,久保田将司,大友明,宗田孝之,川崎雅司,上殿明良  招待 Oral
10 29p-ZC-1 13:15-13:45 ZC E棟2階 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望  パルスレーザ堆積法によるZnO系ヘテロ接合の作製(30分) 大友明,塚崎敦,川崎雅司 招待 Oral
11 29p-ZC-3 14:15-14:45 ZC E棟2階 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望  分子線エピタキシー法(MBE)による(Mg)ZnOホモエピタキシー技術(30分) 中原健,湯地洋行,田村謙太郎,赤坂俊輔,高水大樹,田辺哲弘,久保田将司,尾沼猛儀,秩父重英,塚崎敦,大友明,川崎雅司  招待 Oral
12 29p-L-7 14:30-14:45 L F棟3階 9.1基礎物性  NdBa2Cu3O7-y単結晶薄膜を用いた固有ジョセフソン接合の作製とその特性評価 Kyung Sung Yun,有沢俊一,石井明,王華兵,高野義彦,羽多野毅,井口家成,山下努,川崎雅司,鯉沼秀臣  一般 Oral
13 29p-ZA-5 14:30-14:45 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  LaAlO3/SrTiO3ヘテロ界面の熱電特性 山田康浩,大友明,川崎雅司 一般 Oral
14 29p-ZA-12 16:30-16:45 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  ZnO薄膜単結晶を用いた電気二重層トランジスタ 下谷秀和,浅沼春彦,塚崎敦,大友明,川崎雅司,岩佐義宏  一般 Oral
15 29p-ZA-13 16:45-17:00 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  SrTiO3単結晶を用いた電気二重層トランジスタ 上野和紀,大友明,山田康浩,下谷秀和,岩佐義宏,川崎雅司  一般 Oral
16 29p-ZA-14 17:00-17:15 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  導電性高分子/酸化物半導体ショットキー接合 中野匡規,福村知昭,上野和紀,塚崎敦,郡司遼祐,大友明,川崎雅司  一般 Oral
17 29p-ZA-20 18:30-18:45 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  酸化物エピタキシャルp-n接合La1-xSrxFeO3/SrTi0.99Nb0.01O3の電気特性 山本晃生,澤彰仁,赤穗博司,川崎雅司,十倉好紀  一般 Oral
18 3月30日 30a-ZA-6 10:30-10:45 ZA E棟1階 6.3酸化物エレクトロニクス  電流狭窄構造を導入した抵抗変化型メモリ―スイッチング特性― 荻本泰史,玉井幸夫,川崎雅司,十倉好紀  一般 Oral