2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会
日時:3月27日(火)〜3月30日(金)
場所:青山学院大学相模原キャンパス
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No | 発表日 | 講演No | 発表時間 | 会場 | セクション | 講演タイトル | 講演者 | 区分 | 講演種 |
1 | 3月27日 | 27a-ZA-2 | 9:45-10:00 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 走査型マイクロ波顕微鏡を用いた低温での薄膜導電率の定量評価 | 岡崎壮平,岡崎紀明,菅谷英生,西村潤,福村知昭,川崎雅司,一杉太郎,島田敏宏,長谷川哲也 | 一般 | Oral |
2 | 27a-ZT-6 | 10:15-10:30 | ZT E棟3階 | 17.1合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」 | CoドープTiO2の異常ホール伝導率のスケーリング | 福村知昭,豊崎秀海,上野和紀,中野匡規,山崎高志,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
3 | 27a-ZA-9 | 11:45-12:00 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 放射光光電子分光による(SrTiO3)1-x(La0.6Sr0.4MnO3)x混晶薄膜の電子状態解析 | 高石理一郎,簑原誠人,堀場弘司,組頭広志,藤田誠,尾嶋正治,Mikk Lippmaa,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
4 | 3月28日 | 28a-ZA-5 | 10:30-10:45 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | TiO2酸化物イオン最密充填面上に作製したSnO2薄膜の構造評価 | 奥出正樹,上野和紀,大友明,川崎雅司 | 一般 | Oral |
5 | 28a-ZA-6 | 11:00-11:15 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | スパッタ法を用いたエピタキシャルTiO2薄膜のハイスループット作製 | 山崎高志,福村知昭,豊崎秀海,中野匡規,上野和紀,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
6 | 28a-L-11 | 11:30-11:45 | L F棟3階 | 9.2新材料,新薄膜,新低温動作デバイス | PLD法を用いた高品質ZrN超伝導薄膜の低温成長 | 朱亜彬,池田将洋,塚崎敦,福村知昭,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
7 | 3月29日 | 29a-ZA-3 | 10:00-10:15 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | ZnO/MgZnO積層膜の光誘起絶縁体-金属相転移 | 塚崎敦,中野匡規,大友明,川崎雅司 | 一般 | Oral |
8 | 29a-ZC-1 | 10:00-10:15 | ZC E棟2階 | 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望 | 酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望(15分) | 川崎雅司 | 招待 | Oral | |
9 | 29a-ZC-3 | 10:45-11:15 | ZC E棟2階 | 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望 | 酸化亜鉛の非輻射過程と点欠陥の関係(30分) | 秩父重英,尾沼猛儀,塚崎敦,久保田将司,大友明,宗田孝之,川崎雅司,上殿明良 | 招待 | Oral | |
10 | 29p-ZC-1 | 13:15-13:45 | ZC E棟2階 | 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望 | パルスレーザ堆積法によるZnO系ヘテロ接合の作製(30分) | 大友明,塚崎敦,川崎雅司 | 招待 | Oral | |
11 | 29p-ZC-3 | 14:15-14:45 | ZC E棟2階 | 58.1酸化亜鉛エレクトロニクスの進展と今後の展望 | 分子線エピタキシー法(MBE)による(Mg)ZnOホモエピタキシー技術(30分) | 中原健,湯地洋行,田村謙太郎,赤坂俊輔,高水大樹,田辺哲弘,久保田将司,尾沼猛儀,秩父重英,塚崎敦,大友明,川崎雅司 | 招待 | Oral | |
12 | 29p-L-7 | 14:30-14:45 | L F棟3階 | 9.1基礎物性 | NdBa2Cu3O7-y単結晶薄膜を用いた固有ジョセフソン接合の作製とその特性評価 | Kyung Sung Yun,有沢俊一,石井明,王華兵,高野義彦,羽多野毅,井口家成,山下努,川崎雅司,鯉沼秀臣 | 一般 | Oral | |
13 | 29p-ZA-5 | 14:30-14:45 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | LaAlO3/SrTiO3ヘテロ界面の熱電特性 | 山田康浩,大友明,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
14 | 29p-ZA-12 | 16:30-16:45 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | ZnO薄膜単結晶を用いた電気二重層トランジスタ | 下谷秀和,浅沼春彦,塚崎敦,大友明,川崎雅司,岩佐義宏 | 一般 | Oral | |
15 | 29p-ZA-13 | 16:45-17:00 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | SrTiO3単結晶を用いた電気二重層トランジスタ | 上野和紀,大友明,山田康浩,下谷秀和,岩佐義宏,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
16 | 29p-ZA-14 | 17:00-17:15 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 導電性高分子/酸化物半導体ショットキー接合 | 中野匡規,福村知昭,上野和紀,塚崎敦,郡司遼祐,大友明,川崎雅司 | 一般 | Oral | |
17 | 29p-ZA-20 | 18:30-18:45 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 酸化物エピタキシャルp-n接合La1-xSrxFeO3/SrTi0.99Nb0.01O3の電気特性 | 山本晃生,澤彰仁,赤穗博司,川崎雅司,十倉好紀 | 一般 | Oral | |
18 | 3月30日 | 30a-ZA-6 | 10:30-10:45 | ZA E棟1階 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 電流狭窄構造を導入した抵抗変化型メモリ―スイッチング特性― | 荻本泰史,玉井幸夫,川崎雅司,十倉好紀 | 一般 | Oral |