2005年(平成17年)秋季第66回応用物理学関係連合講演会
開催場所 : 徳島大学常三島キャンパス
会   期  : 2005年9月7日(水)〜11日(日)
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No 講演タイトル 講演者 発表日 発表時間 場所詳細 セクション 講演No
1 TPE 法による高品質NdBa2Cu3O7-y 薄膜の臨界電流特性及び磁束ピニンク特性 ○尹 成,有沢俊一,石井 明,高野義彦,羽多野 毅,山下 努,川崎雅司,鯉沼秀臣 9/7 14:30-14:45 共通教育C館 ZM 3F-C302 (100) 9.3 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長 7p-ZM-7 
2 ZnO薄膜におけるシュブニコフ−ドハース振動の観測 ○塚崎敦、大友明、川崎雅司 9/8 10:45-11:00 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 8a-G-6
3  「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
Mg1-xCaxO/ZnO ヘテロエピタキシャル成長(II)
○西井潤弥、大友明、池田将洋、大谷啓太、大野英男、川崎雅司 9/8 16:30-16:45 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 8p-G-12
4 440 nm帯ZnO青色発光ダイオード ○塚崎敦、久保田将司、大友明、尾沼猛儀、大谷啓太、大野英男、秩父重英、川崎雅司 9/8 18:45-19:00 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 8p-G-21
5 室温強磁性半導体ルチル構造Ti1-xCoxO2を用いたトンネル磁気抵抗素子 ○豊崎秀海、福村知昭、上野和紀、中野匡規、川崎雅司 9/9 11:00-11:15 総合科学部1号館ZQ 3F-310(215) 合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」 9a-ZQ-8
6 巨大なTMR を持つ(La,Sr)MnO3 酸化物スピントンネル接合 ○藤本英司,石井裕司,山田寿一,佐藤 弘,瀬川繁昌,菊地克弥,仲川 博,青柳昌宏,川崎雅司,赤穗博司,十倉好紀 9/9 11:15-11:30 総合科学部1号館ZQ 3F-310(215) 合同セッションE「スピントロニクス・ナノマグネティクス」 9a-ZQ-9
7 強磁性酸化物半導体の物性とデバイスの可能性(30分) ○福村知昭、豊崎秀海、川崎雅司 9/9 15:45-16:15 総合科学部一号館 ZQ 3F-310 (215) スピンエレクトロニクスにおける材料研究の最前線 9p-ZQ-6
8 エピタキシャル界面をチャネルとするアナターゼTiO2 電界効果トランジスタ ○上野和紀、奥出正樹、豊崎秀海、佐藤仁美、大友明、福村知昭、川崎雅司 9/10 09:45-10:00 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 6-3酸化物エレクトロニクス 10a-G-2
9 ルチル構造Ti1-xCoxO2を電極に用いた有機EL素子の作製 ○中野匡規、豊崎秀海、福村知昭、上野和紀、川崎雅司 9/10 10:30-10:45 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 6-3酸化物エレクトロニクス 10a-G-5
10 Nb:STO ヘテロ接合におけるCER 効果のエピタキシャル電極依存性 ○藤井健志,澤 彰仁,松野丈夫,川崎雅司,赤穂博司,十倉好紀 9/10 12:00-12:15 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 6-3酸化物エレクトロニクス 10a-G-10
11 金属/ ペロブスカイト型銅酸化物界面の電界誘起抵抗スイッチング ○澤 彰仁,藤井健志,川崎雅司,十倉好紀 9/10 12:15-12:30 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 6-3酸化物エレクトロニクス 10a-G-11
12 NSMO/Nb:STO 接合界面の磁場制御 ○松野丈夫,澤 彰仁,川崎雅司,十倉好紀 9/10 14:00-14:15 工学部共通講義棟 G 4F-K401 (120) 6-3酸化物エレクトロニクス 10p-G-3