第６５回応用物理学会学術講演会
　期間：2004年9月1日（水）〜9月4日（土）
　場所：東北学院大学　泉キャンパス
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No 講演タイトル 講演者 発表日 発表時間 場所詳細 セクション 講演No 区分 講演種類
1 LaおよびNbドープSrTiO3薄膜における電気特性の成長モード依存性 大友　明，ファンハロルド 9.1 11:30-11:45 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 1a-H-6 一般 口頭
2 In-situ放射光光電子分光・X線吸収分光によるLa0.6Sr0.4MnO3/SrTiO3ヘテロ界面の電子状態評価 橋本龍司，近松　彰，組頭広志，尾嶋正治，大西　剛，Mikk Lippmaa，和達大樹，藤森　淳，小野寛太，川崎雅司，鯉沼秀臣 9.1 15:45-16:00 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 1p-H-8 一般 口頭
3 遷移金属酸化物界面のCER(Colossal Electroresistance)効果 藤井健志，澤　彰仁，小田川明弘，川崎雅司，赤穂博司，十倉好紀  9.1 16:15-16:30 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 1p-H-9 一般 口頭
4 金属/ペロブスカイト酸化物界面における電場誘起抵抗スイッチング 澤　彰仁，藤井健志，川崎雅司，十倉好紀 9.1 16:30-16:45 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 1p-H-10 一般 口頭
5 MgZnO層成長中におけるRHEED強度振動のMg組成依存性 山尾美幸，大谷啓太，XU Huaizhe，塚崎　敦，大友　明，川崎雅司，大野英男  9.1 17:15-17:30 X
3F-237		 22.1
合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 		 1p-X-13 一般 口頭
6 酸素分圧制御による酸素変調SrTiO3超格子の作製 中川直之，David Muller，大友　明，John Grazul，Harold Hwang 9.1 17:30-17:45 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 1p-H-14 一般 口頭
7 ZnOp-nホモ接合発光ダイオード 塚崎　敦，大友　明，尾沼猛義，大谷　亮，牧野哲征，角谷正友，大谷啓太，秩父重英，福家俊郎，瀬川勇三郎，大野英男，鯉沼秀臣，川崎雅司  9.2 9:00-9:15 X
3F-237		 22.1
合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 		 2a-X-1 一般 口頭
8 ZnO薄膜の低温電子輸送特性 塚崎　敦，大友　明，鯉沼秀臣，川崎雅司  9.2 10:15-10:30 X
3F-237		 22.1
合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 		 2a-X-6 一般 口頭
9 磁場中におけるNdBa2Cu3O7-y粒界ジョセフソン接合の電流−電圧特性及び高周波応答特性 ユン〓成，有沢俊一，石井　明，高野義彦，金　相宰，羽田野　毅，山下　努，川崎雅司，鯉沼秀臣  9.2 10:30-10:45 F
2F-223		 9.6
接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 		 2a-F-6 一般 口頭
10 (La,Sr)MnO3スピントンネル接合における界面強磁性の最適化 石井裕司，山田浩之，佐藤　弘，澤　彰仁，藤本英司，山田寿一，川崎雅司，赤穗博司，十倉好紀 9.2 10:30-10:45 ZA
3F-239		 17.1
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 		 2a-ZA-4 一般 口頭
11 ルテニウムドープLa1-xSrxMnO3薄膜の作製とスピントンネル接合への応用 山田浩之，貴田徳明，山田高広，川崎雅司，十倉好紀  9.2 10:45-11:00 ZA
3F-239		 17.1
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 		 2a-ZA-5 一般 口頭
12 多結晶ZnO薄膜トランジスタにおける粒界バリアの効果 大友　明，ホサインファルーク，西井潤弥，福村知昭，鯉沼秀臣，大野英男，川崎雅司  9.2 11:45-12:00 X
3F-237		 22.1
合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 		 2a-X-11 一般 口頭
13 室温強磁性半導体ルチル構造Ti1-xCoxO2薄膜の磁気円二色性測定 豊崎秀海，山田康博，福村知昭，中島清美，知京豊裕，長谷川哲也，鯉沼秀臣，川崎雅司  9.2 11:45-12:00 ZA
3F-239		 17.1
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 		 2a-ZA-8 一般 口頭
14 Fe ドープ TiO2エピタキシャル薄膜の磁気特性 稲葉和久，板橋欣之助，一杉太郎，古林　寛，木野田　剛，廣瀬　靖，山本幸生，松本祐二，島田敏宏，長谷川哲也，鯉沼秀臣，福村知昭，川崎雅司  9.2 12:00-12:15 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 2a-H-10 一般 口頭
15 ZnO/ScAlMgO4ヘテロ界面に蓄積された電子のホール移動度と電界効果移動度 鈴木崇雄，西井潤弥，佐藤二美，大友　明，大野英男，川崎雅司  9.2 12:00-12:15 X
3F-237		 22.1
合同セッションK「酸化亜鉛系機能性材料」 		 2a-X-12 一般 口頭
16 応用物理学会論文賞受賞記念講演（JJAP論文奨励賞）酸化物磁性半導体の開拓―初合成から室温強磁性の検証まで―（20分） 福村知昭 9.2 12:00-12:20 ZA
3F-239		 17.1
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 		 2a-ZA-9 招待 口頭
17 酸化物高温強磁性半導体の探索と物性（30分） 川崎雅司，福村知昭，豊崎秀海，山田康博 9.2 15:10-15:40 ZA
3F-239		 47.1
スピンエレクトロニクスに期待される新材料と展開 		 2p-ZA-5 招待 口頭
18 硬X線内殻光電子分光によるLa1-xSrxMnO3薄膜の電子状態評価 高田恭孝，池永英司，生天目博文，谷口雅樹，淡路晃弘，竹内晃久，三輪大五，西野吉則，玉作賢治，石川哲也，組頭広志，尾嶋正治，Mikk Lippmaa，川崎雅司，鯉沼秀臣，小林啓介，辛　　埴 9.2 17:30-17:45 H
2F-225		 6.3
酸化物エレクトロニクス		 2p-H-16 一般 口頭
19 有機LED発光効率の磁場依存性 小高秀文，沖本洋一，山田寿一，岡本　博，川崎雅司，十倉好紀  9.4 13:15-13:30 ZG
4F-246		 10.3
分子エレクトロニクス		 4p-ZG-2 一般 口頭