第51回応用物理学関係連合講演会
日時：2004年3月28日（日）〜3月31日（水）
場所：東京工科大学
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| No | 講演タイトル | 講演者 | 発表日 | 発表時間 | 場所詳細 | セクション | 講演No | 区分 | 講演種類 |
| 1 | 「TPE法によるNdBa2Cu3O7-y粒界ジョセフソン接合のマイクロ波照射パワ−依存性」 | ユンキョンソン、有沢俊一、石井明、高野義彦、金相宰、羽多野毅、山下努、川崎雅司、鯉沼秀臣 | 3.28 | 12:45-13:00 | YD会場 | 9.5 アナログ応用および関連技術 | 28a-YD-11 | 一般 | |
| 2 | 「段差基板を用いた表面析出物のない(La,Sr)MnO3薄膜の作製」 | 石井裕司、佐藤弘、澤彰仁、藤本英司、山田寿一、川崎雅司、赤穗博司、十倉好紀 | 3.28 | 13:45-14:00 | ZK会場 | 17.1 合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 | 28p-ZK-2 | 一般 | |
| 3 | 「室温強磁性半導体ルチル構造Ti1-xCoxO2薄膜の異常ホール効果と磁気異方性」 | 豊崎秀海、山田康博、福村知昭、中島清美、知京豊裕、長谷川哲也、鯉沼秀臣、川崎雅司 | 3.28 | 14:15-14:30 | ZK会場 | 17.1 合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 | 28p-ZK-4 | 一般 | |
| 4 | 「ZnO薄膜トランジスタの利点と現状」 | 川崎雅司 | 3.28 | 15:15-15:55 | YA会場 | 26.1 シンポジウム「酸化亜鉛系酸化物半導体の現状とその応用展開」 | 28p-YA-4 | 招待 | |
| 5 | 「MgZnOバッファー層上ZnO薄膜の光学・電気特性」 | 塚崎敦、謝振豪、大友明、牧野哲征、瀬川勇三郎、鯉沼秀臣、川崎雅司 | 3.29 | 13:00-19:45 | P10会場 | 13.2 II-VI族結晶 | 29p-P10-26 | 一般 | ポスター |
| 6 | 「同族元素ドープによるTiOエピタキシャル薄膜のバンドギャップ制御」 | 山田康博、豊崎秀海、大友明、福村知昭、松倉文礼、大野英男、川崎雅司 | 3.29 | 14:15-14:30 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-4 | 一般 | |
| 7 | 「新規一次元構造遷移金属酸化物薄膜の作製と光学評価」 | 櫻田誉、大谷亮、福村知昭、牧野哲征、松野丈夫、沖本洋一、岡本博、十倉好紀、瀬川勇三郎、川崎雅司 | 3.29 | 16:15-16:30 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-11 | 一般 | |
| 8 | 「In situ放射光光電子分光によるSr1-XCaXRuO3薄膜の電子状態評価」 | 豊田大介、小林大介、滝沢優、橋本龍司、近松彰、組頭広志、尾嶋正治、大西剛、LippmaaMikk、和達大樹、藤森淳、小野寛太、川崎雅司、鯉沼秀臣 | 3.29 | 16:30-16:45 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-12 | 一般 | |
| 9 | 「In-situ放射光光電子分光によるSrTiO3基板表面の化学結合状態」 | 小林大介、橋本龍司、近松彰、組頭広志、尾嶋正治、大西剛、LippmaaMikk、小野寛太、川崎雅司、鯉沼秀臣 | 3.29 | 16:45-17:00 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-13 | 一般 | |
| 10 | 「SrTiO3/LaAlO3超格子の光吸収スペクトル」 | 大久保敦史、大友明、西村潤、牧野哲征、瀬川勇三郎、川崎雅司 | 3.29 | 17:00-17:15 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-14 | 一般 | |
| 11 | 「ペロブスカイト型Mn酸化物の電圧パルス印加による抵抗スイッチング効果」 | 藤井健志、澤彰仁、小田川明弘、川崎雅司、赤穂博司、十倉好紀 | 3.29 | 17:15-17:30 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-15 | 一般 | |
| 12 | 「フラックスエピタキシー手法によるBi4Ti3O12単結晶薄膜の作製」 | 高橋竜太、鶴田裕彦、谷川太一、青山登代美、中島清美、知京豊裕、大谷亮、川崎雅司、松本祐司、鯉沼秀臣 | 3.29 | 17:45-18:00 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 29p-ZA-17 | 一般 | |
| 13 | 「高電界効果移動度を有する酸化亜鉛薄膜トランジスタ」 | 杉原利典、西井潤弥、大友明、大野裕三、鯉沼秀臣、大野英男、川崎雅司 | 3.31 | 09:45-10:00 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 31a-ZA-2 | 一般 | |
| 14 | 「SCAM基板をゲート絶縁層とするZnO単結晶トランジスタの作製」 | 鈴木崇雄、西井潤弥、杉原利典、佐藤二美、大友明、川崎雅司 | 3.31 | 10:00-10:15 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 31a-ZA-3 | 一般 | |
| 15 | 「成長温度変調法の提案：ZnO成長に適用した例」 | 塚崎敦、大友明、大谷亮、牧野哲征、角谷正友、福家俊郎、瀬川勇三郎、鯉沼秀臣、川崎雅司 | 3.31 | 11:45-12:00 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 31a-ZA-9 | 一般 | |
| 16 | 「エキシマレーザーアニールによるSrTiO3ヘテロ構造へのオーミックコンタクト形成」 | 大友明、中川直之、ファンハロルド | 3.31 | 12:00-12:15 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 31a-ZA-10 | 一般 | |
| 17 | 「SrTiO3ホモエピ層における電気特性の成長モード依存性」 | 大友明、ファンハロルド | 3.31 | 12:15-12:30 | ZA会場 | 6.3酸化物エレクトロニクス | 31a-ZA-11 | 一般 |