第64回応用物理学会学術講演会プログラム
日時:2003年8月30(土)〜9月2日(火)
場所:福岡大学 七隈キャンパス
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No | 講演 | タイトル講演 | 者発表 | 日発表 | 時間場所 | 詳細セクション | 講演 | No区分 | 講演 | 種類
1 | 「TPE法によるNdBa2Cu3O7-y粒界ジョセフソン接合の作製と高周波応答特性」 | K. S. Yun、 有沢 | 俊一 、 石井 明 、 高野 義彦 、 金 相 宰 、 波多野毅 、 山下努 、 川崎雅司 、 鯉沼 秀臣8.30 | 11:45-12:00 | ZG 会場 | 9.3 新 | 材料 、 新 薄膜 、 新 低音 動作 デバイス30a-ZG-8 | 一般 | |
2 | 「フラックスエピタキシー 手法 | の 提案 とそのBi4Ti3O12 薄膜 の 作製 」高橋 | 竜太 、 谷川 太一 、 山本 幸生 、 米澤 喜幸 、 知京豊裕 、 大谷 亮 、 川崎 雅司 、 松本 祐司 、 鯉沼 秀臣8.30 | 13:30-13:45 | V 会場 | 6.1 強誘電体 | 薄膜30p-V-3 | 一般 | |
3 | 「 衝撃 | 固化 成型 法 によるバルクMgB2 材 の 特性 」玉木 | 秀幸 、 大橋 渉 、 松沢 秀典 、 阿藤 敏行 、 福岡 清人 、 菊地 昌枝 、 川崎 雅司 、 高野 義彦8.30 | 14:00-14:15 | ZG 会場 | 9.1 基礎 | 物性30p-ZG-1 | 一般 | |
4 | 「 室温 | 強磁性 半導体 ルチル 構造 Ti1-xCoxO2 薄膜 の 異常 ホール 効果 」豊崎 | 秀海 、 山田 康博 、 福村 知昭 、 中島 清美 、 知京豊裕 、 長谷川 哲也 、 鯉沼 秀臣 、 川崎 雅司8.31 | 10:00-10:15 | ZL 会場 | 17.1 合同 | セッションE「スピンエレクトロニクスの 基礎 と 応用 」31a-ZL-1 | 一般 | |
5 | 「 非線形 | 磁気 光学 効果 を 用 いたペロブスカイト 酸化物 薄膜 の 界面 磁性 の 観察 」小川 | 佳宏 、 山田 浩之 、 小笠原 剛 、 有馬 孝 尚 、 岡本 博 、 川崎 雅司 、 十倉 好 紀8.31 | 10:30-10:45 | ZL 会場 | 17.1 合同 | セッションE「スピンエレクトロニクスの 基礎 と 応用 」31a-ZL-3 | 一般 | |
6 | 「基板の表面ステップ構造を反映したZnO薄膜中の積層欠陥アレイ:沿面超格子」 | 大友 | 明 、 鯉沼 秀臣 、 川崎 雅司8.31 | 11:15-11:30 | B 会場 | 13.2II-VI族結晶 | 31a-B-9 | 一般 | |
7 | 「 格子 | 整合 基板上 に 成長 した 高 MgxZn1-xO 混 晶 薄膜 」吉田 | 伸 、 大友 明 、 謝 振 豪 、 塚崎 敦 、 牧野哲征 、 瀬川 勇三郎 、 川崎 雅司8.31 | 14:00-14:15 | B 会場 | 13.2II-VI族結晶 | 31p-B-5 | 一般 | |
8 | 「Si 基板上 | ZnOエピタキシャル 薄膜 の 光学 特性 」尾沼 | 猛 儀 、 秩父 重英 、 上 殿 明 良 、Yoo Y.-Z、 知京豊裕 、 宗田 孝之 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣8.31 | 15:30-15:45 | B 会場 | 13.2II-VI族結晶 | 31p-B-10 | 一般 | |
9 | 「 無 | 極性 (11-20)ZnOエピタキシャル 薄膜 の 光学 特性 」鯉田崇 | 、 秩父重英 、 上殿明良 、 塚崎敦 、 宗田 孝之 、 川崎雅司8.31 | 16:15-16:30 | B 会場 | 13.2II-VI族結晶 | 31p-B-13 | 一般 | |
10 | 「コンビナトリアルPLD法によるSrTixV1-xO3組成傾斜薄膜の作製と非線形伝導発現の観察」 | 脇坂 | 寿幸 、 三原 尚 士 、 松本 祐司 、 伊 高 健治 、 大谷 晃 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣8.31 | 16:30-16:45 | ZA 会場 | 6.4 薄膜 | 新材料31p-ZA-12 | 一般 | |
11 | 「 酸化 | 亜鉛 薄膜 トランジスタにおけるバックチャネルの 影響 」杉原 | 利典 、 西井 潤弥 、 大友 明 、 大野 裕三 、 鯉沼 秀臣 、 大野 英男 、 川崎 雅司8.31 | 18:00-18:15 | B 会場 | 13.2II-VI族結晶 | 31p-B-20 | 一般 | |
12 | 「 単結晶 | ZnO 電界 効果 トランジスタの 移動度 向上 」西井 | 潤弥 、 鈴木崇雄 、ホサインファルク、 大友 明 、 鯉沼 秀臣 、 大野 英男 、 川崎 雅司8.31 | 18:15-18:30 | B 会場 | 13.2II-VI族結晶 | 31p-B-21 | 一般 | |
13 | 「完全に定義された表面をもつSrTiO3基板の作製(I): in-situ光電子分光による表面状態の評価」 | 小林 | 大介 、 橋本 龍司 、 近松 彰 、 組頭 広志 、 尾嶋 正治 、 大西 剛 、Lippmaa Mikk、 小野 寛太 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣9.1 | 13:00-15:00 | P8 会場 | 6.3 酸化物 | エレクトロニクス1p-P8-1 | 一般 | ポスター |
14 | 「完全に定義された表面をもつSrTiO3基板の作製(II): CAICISSによる表面状態の評価」 | 大西 | 剛 、 小林 大介 、 渋谷 圭介 、 組頭 広志 、 尾嶋 正治 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣 、Mikk Lippmaa9.1 | 13:00-15:00 | P8 会場 | 6.3 酸化物 | エレクトロニクス1p-P8-2 | 一般 | ポスター |
15 | 「In-situ共鳴光電子分光によるLa0.6Sr0.4FeO3/La0.6Sr0.4MnO3超格子の界面評価」 | 小林 | 大介 、 組頭 広志 、 尾嶋 正治 、 中川 直之 、 大西 剛 、Lippmaa Mikk、 和 達 大樹 、 藤森 淳 、 小野 寛太 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣9.1 | 13:00-15:00 | P8 会場 | 6.3 酸化物 | エレクトロニクス1p-P8-5 | 一般 | ポスター |
16 | 「コンビナトリアルレーザーMBE 法 | によるペロブスカイト 酸化物 凝 四元 組成 傾斜 薄膜 の 作製 」三原 | 尚 士 、 山田 晃 嗣 、 脇坂寿幸 、 山本 幸生 、 松本 祐司 、 長谷川 哲也 、 川崎雅司 、 鯉沼 秀臣9.1 | 13:00-15:00 | P8 会場 | 6.3 酸化物 | エレクトロニクス1p-P8-8 | 一般 | ポスター |
17 | 「CaHfO3絶縁層/SrTiO3基板界面の輸送特性」 | 渋谷 | 圭介 、 大西 剛 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣 、Mikk Lippmaa9.1 | 13:00-15:00 | P8 会場 | 6.3 酸化物 | エレクトロニクス1p-P8-14 | 一般 | ポスター |
18 | 「 透明 | 薄膜 トランジスタの 新展開 」川崎 | 雅司9.1 | 15:00-15:45 | F 会場 | 26.1ランダム系有機、無機薄膜トランジスタの新展開 | 1p-F-3 | 招待 | |
19 | 「誘電・導電材料の低温における高速評価を目的とした走査型マイクロ波顕微鏡の開発」 | 岡崎 | 壮平 、 岡崎 紀明 、 菅谷 英生 、 西村 潤 、 福村 知昭 、 川崎 雅司 、 鯉沼 秀臣 、 長谷川 哲也9.2 | 09:30-11:30 | P10 会場 | 6.3 酸化物 | エレクトロニクス2a-P10-23 | 一般 | ポスター |