日時:2003年3月27日(木)〜3月30日(日)
場所:神奈川大学(横浜キャンパス)
詳細はこちら
No |
講演 タイトル |
講演 者 |
発表 日 |
発表 時間 |
場所 詳細 |
セクション |
講演 No |
巻 |
区分 |
講演 種類 |
1 |
巨大非線形光学効果を示す一次元銅酸化物コンポジションスプレッド薄膜の作製と高速光学特性評価 |
櫻田 誉、大谷 亮、福村知昭、山本貴一、牧野哲征、十倉好紀、瀬川勇三郎、鯉沼秀臣、川崎雅司 |
3.27 |
14:00〜14:15 |
23 号館 |
3.2材料光学 |
27p-YM-1 |
3 |
一般 |
口頭 |
2 |
TPE法により作製したREBa2Cu3O7-y単結晶薄膜の微細加工 |
尹 火成、有沢俊一、石井 明、高野義彦、金 相宰、羽多野 毅、川崎雅司、鯉沼秀臣 |
3.27 |
14:30〜14:45 |
7 号館 |
9.3新材料,新薄膜,新低温動作デバイス |
27p-ZS-5 |
1 |
一般 |
口頭 |
3 |
高いキュリー温度を有するハーフメタル強磁性体Sr2CrReO6エピタキシャル薄膜の作成 |
澤田石有人、西村潤、加藤久人、竹ノ谷雄一、大久保昭、大森守、福村知昭、大谷亮、十倉好紀 、川崎雅司 |
3.27 |
16:00〜16:15 |
11 号館 |
8.1磁性材料・磁気デバイス |
27p-N-12 |
1 |
一般 |
口頭 |
4 |
ScAlMgO4基板上超平坦ZnOバッファー層を基板として用いたZnOのホモエピタキシャル成長 |
塚崎敦、吉田伸、謝振豪、田村謙太郎、大友 明、牧野哲征、瀬川勇三郎、鯉沼秀臣、川崎雅司 |
3.27 |
16:45〜17:00 |
8 号館 |
13.2II-VI族エピタキシャル結晶 |
27p-X-10 |
1 |
一般 |
口頭 |
5 |
放射光を用いたコンビナトリアル材料の高速電子状態マッピング |
組頭広志、堀場弘司、小林大介、大口裕之、尾嶋正治、大西 剛、Lippmaa Mikk、小野寛太、川崎雅司、鯉沼秀臣 |
3.27 |
17:15〜17:40 |
7 号館 |
「コンビナトリアル・マイクロケミストリーとその応用」シンポジウム |
27p-ZK-10 |
0 |
|
口頭 |
6 |
クロージング |
川崎雅司 |
3.27 |
17:40〜17:50 |
7 号館 |
「コンビナトリアル・マイクロケミストリーとその応用」シンポジウム |
27p-ZK-11 |
0 |
|
口頭 |
7 |
MOCVD法によるAl2O3基板上に成長したGaN(1010)薄膜 |
奥野浩司、児玉俊宏、塚崎 敦、角谷正友、川崎雅司、福家俊郎 |
3.28 |
10:30〜10:45 |
8 号館 |
13.4III-V族窒化物結晶 |
28a-T-7 |
1 |
一般 |
口頭 |
8 |
CoドープアナターゼTiO2エピタキシャル薄膜の表面ラフネス制御 |
山田康博、豊崎秀海、福村知昭、菅谷英生、長谷川哲也、鯉沼秀臣、川崎雅司 |
3.28 |
11:00〜11:15 |
7 号館 |
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 |
28a-ZH-6 |
1,3 |
一般 |
口頭 |
9 |
ルチル構造CoドープTiO2 薄膜の磁性 |
豊崎秀海 山田康博 福村知昭 安藤功兒 菅谷英生 長谷川哲也 鯉沼秀臣 川崎雅司 |
3.28 |
11:15〜11:30 |
7 号館 |
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 |
28a-ZH-7 |
1,3 |
一般 |
口頭 |
10 |
電子ドープSrTiO3薄膜における表面空乏層と電荷変調 |
大友 明、Harold Hwang |
3.28 |
11:15〜11:30 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
28a-F-9 |
2 |
一般 |
口頭 |
11 |
LaAlO3/SrTiO3価電子不整合へテロ界面の低温電子物性 |
大友 明、David Muller、Harold Hwang |
3.28 |
11:30〜11:45 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
28a-F-10 |
2 |
一般 |
口頭 |
12 |
コンビナトリアルレーザーMBE法による温度傾斜TiO2-CoO組成傾斜薄膜の作製と高速評価 |
村上 真、松本 祐司、長野 みか、長谷川 哲也、知京 豊裕、安藤 功兒、川崎 雅司、 鯉沼 秀臣 |
3.28 |
11:30〜11:45 |
7 号館 |
合同セッションE「スピンエレクトロニクスの基礎と応用」 |
28a-ZH-8 |
1,3 |
一般 |
口頭 |
13 |
ZnO/LiGaO2/GaNヘテロ構造の作製 |
福崎正志、西井潤弥、塚崎敦、大友 明、福村知昭、大西 剛、角谷正友、福家俊郎、ミック リップマー、大野英男、川崎雅司、 |
3.28 |
11:45〜12:00 |
8 号館 |
13.2II-VI族エピタキシャル結晶 |
28a-X-9 |
1 |
一般 |
口頭 |
14 |
ヘテロエピタキシャルZnO薄膜およびそのテンプレート層の極性同定 |
大西 剛、福崎正志、張 保平、瀬川勇三郎、川崎雅司、Mikk Lippmaa |
3.28 |
12:00〜12:15 |
8 号館 |
13.2II-VI族エピタキシャル結晶 |
28a-X-10 |
1 |
一般 |
口頭 |
15 |
格子整合ScAlMgO4基板上に成長したMgxZn1-xOの光学的評価 |
吉田伸、塚崎敦、田村謙太郎、謝振豪、大友 明、牧野哲征、瀬川勇三郎、鯉沼秀臣、川崎雅司 |
3.28 |
13:45〜14:00 |
8 号館 |
13.2II-VI族エピタキシャル結晶 |
28p-X-2 |
1 |
一般 |
口頭 |
16 |
コンビナトリアルレーザーMBE法によるペロブスカイト酸化物薄膜のエピタキシャル成長 |
三原尚士、脇坂寿幸、村上真、松本祐司、長谷川哲也、川崎雅司、鯉沼秀臣 |
3.28 |
15:30〜15:45 |
11 号館 |
6.4薄膜新材料 |
28p-S-10 |
2 |
一般 |
口頭 |
17 |
バルク単結晶基板上ZnO薄膜のホモエピタキシャル成長とNドーピング |
塚崎敦、吉田伸、田村謙太郎、角谷正友、福家俊郎、牧野哲征、瀬川勇三郎、鯉沼秀臣、川崎雅司 |
3.28 |
16:30〜16:45 |
8 号館 |
13.2II-VI族エピタキシャル結晶 |
28p-X-12 |
1 |
一般 |
口頭 |
18 |
3d遷移金属をマルチドープした酸化亜鉛薄膜のコンビナトリアル合成と高速物性評価 |
吉田若葉、山田康博、福村知昭、大谷亮、山本幸生、大友 明、長野みか、長谷川哲也、鯉沼秀臣、川崎雅司 |
3.29 |
13:45〜14:00 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-4 |
2 |
一般 |
口頭 |
19 |
単結晶酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製 |
西井潤弥、福崎正志、ファルク ホサイン、高木伸悟、杉原利典、大友 明、鯉沼秀臣、大野英男、川崎雅司 |
3.29 |
14:00〜14:15 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-5 |
2 |
一般 |
口頭 |
20 |
透明酸化亜鉛薄膜トランジスタに及ぼす多結晶粒界欠陥の影響 "Effect of grain boundaries in ZnO invisible thin-film transistors" |
M.F. Hossain、西井潤弥、高木伸悟、藤岡 洋、大友 明、鯉沼秀臣、大野英男、川崎雅司 |
3.29 |
14:15〜14:30 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-6 |
2 |
一般 |
口頭 |
21 |
透明酸化亜鉛薄膜トランジスタの特性解析 "Performance analyses of ZnO invisible thin-film transistors" |
M.F. Hossain、西井潤弥、高木伸悟、杉原利典、大友 明、鯉沼秀臣、大野英男、川崎雅司 |
3.29 |
14:30〜14:45 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-7 |
2 |
一般 |
口頭 |
22 |
界面制御による酸化亜鉛薄膜トランジスタの高性能化 |
杉原利典、高木伸悟、西井潤弥、大友 明、大野裕三、鯉沼秀臣、大野英男、川崎雅司 |
3.29 |
14:45〜15:00 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-8 |
2 |
一般 |
口頭 |
23 |
in situ放射光光電子分光によるLaFeO3薄膜の表面電子状態評価 |
小林大介、堀場弘司、組頭広志、尾嶋正治、大西 剛、Lippmaa Mikk、小野寛太、川崎雅司、鯉沼秀臣 |
3.29 |
16:15〜16:30 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-13 |
2 |
一般 |
口頭 |
24 |
室温堆積及び高温アニールによるSrTiO3基板上の(La,Sr)TiO3電極層の作製 |
渋谷圭介、大西 剛、川崎雅司、鯉沼秀臣、Mikk Lippmaa |
3.29 |
16:30〜16:45 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-14 |
2 |
一般 |
口頭 |
25 |
コンビナトリアル手法によるフラックス材料の探索 |
高橋竜太、谷川太一、山本幸生、米澤喜幸、知京豊裕、川崎雅司、松本祐司、鯉沼秀臣 |
3.29 |
17:30〜17:45 |
11 号館 |
6.3酸化物エレクトロニクス |
29p-F-15 |
2 |
一般 |
口頭 |
26 |
ペロブスカイト型ユーロピウム複酸化物薄膜の作製 |
竹ノ谷雄一、阿藤敏行、草場啓治、福岡清人、大久 昭、大 守、菊地昌枝、川崎雅司 |
3.30 |
9:00〜9:15 |
11 号館 |
6.4薄膜新材料 |
30a-S-1 |
2 |
一般 |
口頭 |