Si Online●Samsungも熱い視線，「RRAMの動作メカニズム」

　1月26〜27日に開催した「第3回半導体メモリー・シンポジウム」（主催「NIKKEI M
ICRODEVICES」）の2日目の講演では，フラッシュ・メモリーやモバイルRAM，新型不
揮発などの携帯電話機向けメモリーに関して活発な議論が行われた。その中で，新型
不揮発のRRAMの動作メカニズムに関する産業技術総合研究所の講演は，参加者の高い
関心を集めた。（大下 淳一）
→追加情報は http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050127/101147/