日本物理学会2008年年次・秋季大会

日時:9月20日(土)〜9月23日(火)
場所:岩手大学上田キャンパス

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No 発表日 講演No 発表時間 会場 領域 講演タイトル 講演者 所属 区分
1 9月20日 20aXA-1 9:00-9:15 XA会場 領域9,領域3合同表面磁性 RuドープLa0.6Sr0.4MnO3の磁気異方性の変化と表面ナノドメインの形成 甲野藤真,山田浩之,小池和幸A,川崎雅司B,C,D,赤穗博司,十倉好紀B,C,E 産総研,北大理A,JST-ERATOB,理研C,東北大WPID,東大工E Oral
2 9月20日 20pYG-3 14:00-14:15 YG会場 領域5 光誘起相転移I 一次元銅酸化物Ca2CuO3の光誘起絶縁体金属転移とその超高速ダイナミクス 西岡大毅A,上村紘崇A,松崎弘幸A,宮越達三A,小林賢太郎A,澤彰仁B,川崎雅司B,C,十倉好紀B,D,岡本博A,B,E 物理学会,東大院新領域A,産総研光技術B,東北大金研C,東大工D,JST-CRESTE Oral
3 9月21日 21aYK-3 9:30-9:45 YK会場 領域4 磁性半導体 磁性半導体Ti1-xCoxO2-σ薄膜のX線磁気円二色性の組成およびキャリア濃度依存性 坂本勇太A,小林正起B,片岡隆史A,宋敬錫C,藤森淳A,C,F.-H. ChangD,L. LeeD,H.-J. LinD,D.J. HuangD,C.T. ChenD,豊崎秀海E,福村知昭F,川崎雅司F,G,H 東大新領域A,東大工B,東大理C,NSRRCD,ERATO-MFE,東北大金研F,東北大WPI材料機構G,CREST-JSTH Oral
4 9月21日 21aYK-4 9:45-10:00 YK会場 領域4 磁性半導体 光照射によるTi1-xCoxO2の電子状態変化 山下直飛人,須田山貴亮A,田久保耕A,溝川貴司,豊崎秀海B,福村知昭B,川崎雅司B,C,D 東大新領域,東大理A,東北大金研B,東北大WPI材料機構C,JST-CRESTD Oral
5 9月21日 21pQC-2 QC会場 13:45-14:00 領域8,領域7合同電界効果・Ti酸化物 電気2重層トランジスタの低温挙動 Yuan HongtaoA,B,下谷秀和A,B岩佐義宏A,B,大友明A,塚崎敦A,川崎雅司B,C 東北大金研A,JST-CRESTB,東北大WPI材料機構C Oral
6 9月21日 21pQC-3 QC会場 14:00-14:15 領域8,領域7合同電界効果・Ti酸化物 電気二重層ゲートによるSrTiO3の表面量子化準位 上野和紀A,下谷秀和B,大友明B,岩佐義宏B,C,川崎雅司A,B,C 東北大WPI材料機構A,東北大金研B,CREST-JSTC Oral
7 9月22日 22pYH-11 16:15-16:30 YH会場 領域5 高密度励起現象・励起子 ZnO/ZnMnO単一量子井戸励起子発光の高密度励起効果 坂本歳幸A,吉竹純基A,吉岡孝高A,塚崎敦B,川崎雅司C,五神真A 東大工CREST(JST)A,東北大金研B,東北大原子分子材料CREST(JST)C Oral
8 9月23日 23pQF-2 QF会場 13:45-14:00 領域8 Ti酸化物他 Eu1-xLaxTiO3薄膜(x=0-0.1)の異常ホール効果 高橋圭A,川崎雅司A,B,十倉好紀A,C,D 理研CMRGA,東北大WPI材料機構B,ERATO-MFC,東大工D Oral