日本物理学会第60回(2005年)年次大会
時:2005年3月24日(木)-27日(日)
所:東京理科大学野田キャンパス

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  講演番号 登録番号 発表日 発表時間 会場 領域 タイトル 著者
1 25aWE-6 2829 25日 10:15-11:30 WE会場 領域8
遷移金属酸化物
FET 構造を用いた La0.33Sr0.67FeO3 の電荷注入効果 上野和紀,鈴木崇雄,佐藤二美,大友明,川崎雅司
2 25aWE-8 2863 25日 11:00-11:15 WE会場  領域8
遷移金属酸化物
モット絶縁体LaTiO3−バンド絶縁体SrTiO3界面の光電子分光 滝沢優,和達大樹,小林正起,田中清尚,八木創,橋本信,藤森淳,近松彰,組頭広志,尾嶋正治,渋谷圭介,三原尚士,大西剛,Mikk Lippmaa,川崎雅司,鯉沼秀臣
3 25pXQ-1 1970 25日 13:45-14:00 XQ会場  領域5
超伝導体・強相関系・磁性半導体・新分光法
 
一次元ニッケル酸化物における三次非線形光学応答 岸田英夫,廣田圭佑,大谷亮,川崎雅司,十倉好紀岡本博
4 25aWE-4 143 25日 9:45-10:00 WE会場  領域8
遷移金属酸化物
La1-xSrxFeO3の角度分解光電子スペクトルとタイトバインディング計算の比較 和達大樹,近松彰,滝沢優,橋本龍司,組頭広志,溝川貴司,藤森淳,尾嶋正治,Mikk Lippmaa,川崎雅司,鯉沼秀臣
5 26pXP-9 3576 26日 16:00-16:15 XP会場 領域5
放射光真空紫外分光・MCD・X線散乱
 
光電子顕微鏡によるステップ基板上La1-xSrxMnO3薄膜の磁区構造観察 谷内敏之,横谷尚睦,脇田高徳,組頭広志,尾嶋正治,秋永広幸,Mikk Lippmaa,川崎雅司,鯉沼秀臣,小野寛太
6 27aYT-9 1321 27日 11:15-11:30 YT会場  領域4
化合物半導体・アモルファス
 
ドナーまたはアクセプター添加ZnO薄膜における電気的・光学的性質 牧野哲征,瀬川勇三郎,塚崎敦,吉田伸,大友明,川崎雅司
7 27pWE-9 2831 27日 15:45-16:00 WE会場 領域8
Mn系2
 
SrTiO3/La0.6Sr0.4MnO3ヘテロ界面のin-situ放射光光電子分光 橋本龍司,近松彰,組頭広志,尾嶋正治,大西剛,Mikk Lippmaa,和達大樹,藤森淳,小野寛太,川崎雅司,鯉沼秀臣